Ученые изобрели уникальный 2D-материал для нового поколения блоков памяти

Ольга Покотило

Источник: Phys.org

Это открытие может проложить путь в новое поколение сверхэффективных решений памяти для ИИ, мобильных технологий и обработки данных.

Главные тезисы

Уникальный 2D-материал, объединяющий ферромагнитное и антиферромагнитное состояния, создан для нового поколения блоков памяти.
Новое открытие может привести к разработке сверхэффективных решений памяти для систем искусственного интеллекта, мобильных технологий и обработки данных.
Интеграция обоих магнитных состояний в единую двумерную структуру упростила производство и устранила интерфейсные дефекты.

Ученые создали уникальный атомарный материал: что известно

Ученые из Технологического университета Чалмерса сообщили об открытии уникального атомарного тонкого 2D-материала, в котором одновременно сосуществуют два противоположных магнитных состояния — ферромагнитное и антиферромагнитное.

В отличие от сложных, многослойных систем ученым удалось интегрировать обе магнитные силы в единую двумерную кристаллическую структуру, чего не получилось у природы, пишет Phys.Org. Это устраняет интерфейсные дефекты и упрощает производство.

Кроме того, в материале реализована наклонная магнитная конфигурация: переключение ориентации магнитных моментов возможно без применения внешнего магнитного поля. По оценкам ученых, это позволяет сократить энергозатраты при записи и хранении данных почти в 10 раз.

Материал создан на основе сплава кобальта, железа, германия и теллура. Его слои удерживаются силами Ван-дер-Ваальса, что делает структуру особенно стабильной на атомарном уровне.

Блоки памяти играют важную роль практически во всех современных технологиях, в частности, в системах искусственного интеллекта, смартфонах, компьютерах, автономных транспортных средствах, бытовой технике и медицинских устройствах.